CAS:12055-23-1丨Hafniumoxid

Hafniumdioxid ist eine Art Keramikmaterial mit breiter Bandlücke und hoher Dielektrizitätskonstante. In letzter Zeit hat es in der Industrie große Aufmerksamkeit erregt, insbesondere auf dem Gebiet der Mikroelektronik, da es wahrscheinlich die Gate-Isolationsschicht der Gold-Chemicalbook-Oxidhalbleiter-Feldeffektröhre (MOSFET) ersetzen wird, die den Kern von integrierten Schaltungen auf Siliziumbasis darstellt. Um das Größenbegrenzungsproblem der Entwicklung traditioneller SiO2/Si-Strukturen in MOSFETs zu lösen.

Für die Herstellung von metallischem Hafnium und Hafniumlegierungsrohstoffen. Wird als feuerfeste, antiradioaktive Beschichtung und Katalysator verwendet.

CAS:12055-23-1

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